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MCH6613
100
7
Ciss, Coss, Crss -- VDS
[Nch]
f=1MHz
100
7
Ciss, Coss, Crss -- VDS
[Pch]
f=1MHz
5
3
2
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
Ciss
Coss
Crss
10
7
5
3
2
1.0
Ciss
Coss
Crss
0
2
4
6
8
10
12
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16
18
20
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
10
9
Drain to Source Voltage, VDS -- V
VGS -- Qg
VDS=10V
ID=150mA
IT00039
[Nch]
--10
--9
Drain to Source Voltage, VDS -- V
VGS -- Qg
VDS= --10V
ID= --100mA
IT00087
[Pch]
8
7
6
5
4
3
2
1
0
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT00040
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT00088
3
ASO
[Nch]
--1.0
ASO
[Pch]
2
1.0
7
IDP=1.4A(PW ≤ 10 μ s)
1m
s
7
5
3
IDP= --0.8A(PW≤10μs)
10
1m
ms
s
100
ion
0m
era
tio
5
3
2
0.1
7
5
ID=0.35A
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
DC
o p e
rat
10m
ms
s
2
--0.1
7
5
3
ID= --0.2A
DC
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
op
s
n
3
2
0.01
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 ? 0.8mm)1unit
2
--0.01
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 ? 0.8mm)1unit
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
--1.0
2
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5
7
--10
2
3
5
Drain to Source Voltage, VDS -- V
1.0
PD -- Ta [Pch, Nch]
IT02877
Drain to Source Voltage, VDS -- V
IT02878
cer
i s
? 0
0.8
0.6
0.4
0.2
Wh
en
mo
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ted
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am
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ate
(90
0m
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m)
1u
nit
0
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160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT02879
No.6920-6/8
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